Catalogus : Details
 | Jonathan WinklerElektrolumineszenz von Gate-gesteuerten Silizium und Siliziumkarbid Leistungstransistoren und ihre Nutzbarkeit in Anwendungen der Leistungselektronik | ||||
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| ISBN: | 978-3-8440-8150-3 | ||||
| Reeks: | Elektronik | ||||
| Trefwoorden: | Leistungselektronik; Leistungstransistor; Silizium Si; Siliziumkarbid SiC; MOSFET; IGBT; Diode; Elektrolumineszenz; Lichtemission | ||||
| Soort publicatie: | Dissertatie | ||||
| Taal: | Duits | ||||
| Pagina's: | 186 pagina's | ||||
| Gewicht: | 275 g | ||||
| Formaat: | 21 x 14,8 cm | ||||
| Bindung: | Softcover | ||||
| Prijs: | 48,80 € / 61,10 SFr | ||||
| Verschijningsdatum: | Augustus 2021 | ||||
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| Samenvatting | In Analogie zu gewöhnlichen Leuchtdioden, können auch pn-Übergänge in gängigen Leistungshalbleiterbauelementen Licht emittieren. Diese Arbeit beinhaltet Studien über die Eigenschaften der Lichtemission von Silizium und Siliziumkarbid Leistungshalbleiterbauelementen mit Fokus auf Dioden, MOSFETs sowie IGBTs: Es wird gezeigt, wie die durch Injektion hervorgerufene Elektrolumineszenz von vorwärts betriebenen pnÜbergängen in der Leistungselektronik zur Strommessung, Totzeitregelung oder zur Bestimmung der Sperrschichttemperatur genutzt werden kann. |
