Muhammad Alshahed

Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors on Native Substrates for Power Switching Applications

Fabrication, Characterization and Modelling


voorkant	achterkant

ISBN:

978-3-8440-6885-6

Reeks:

Halbleitertechnik

Trefwoorden:

Power electronics; Power semiconductors; HEMT; Bulk GaN; Thermal transfer function; Thermal modelling; Native GaN; Threading dislocations; Power switching; III-V semiconductors

Soort publicatie:

Dissertatie

Taal:

Engels

Pagina's:

246 pagina's

Gewicht:

321 g

Formaat:

21 x 14,8 cm

Bindung:

Softcover

Prijs:

49,80 € / 62,30 SFr

Verschijningsdatum:

Augustus 2019

Kopen:

DOI:

10.2370/9783844068856 (Online-Publicatie-Document)

Download:

Beschikbare online documenten voor deze titel:

U heeft Adobe Reader, nodig, om deze bestanden te kunnen bekijken. Hier vindt u ondersteuning en informatie, bij het downloaden van PDF-bestanden.

Let u er a.u.b. op dat de online-bestanden niet drukbaar zijn.


	Document		Document
	Soort bestand		PDF
	Kosten		37,35 EUR
	Acties		Tonen en kopen van het bestand - 4,2 MB (4393609 Byte)
	Acties		Kopen en downloaden van het bestand - 4,2 MB (4393609 Byte)


	Document		Inhoudsopgave
	Soort bestand		PDF
	Kosten		gratis
	Acties		Het bestand tonen - 1,8 MB (1898375 Byte)
	Acties		downloaden van het bestand - 1,8 MB (1898375 Byte)

Gebruikersinstellingen voor geregistreerde online-bezoekers

Hier kunt u uw adresgegevens aanpassen en uw documenten inzien.

Gebruiker:	niet aangemeld
Acties:	aanmelden/registreren Paswoord vergeten?

Aanbevelen:

Wilt u dit boek aanbevelen?

Recensie-exemplaar

Bestelling van een recensie-exemplaar.

Verlinking

Wilt u een link hebben van uw publicatie met onze online catalogus? Klik hier.

Samenvatting

In this book the author highlights, for the first time, the superior properties and advantages of using native Gallium Nitride (GaN) substrates, which are wide spread in optical applications, also in the field of high voltage power transistors. The high electron mobility transistors (HEMTs) on the native GaN substrates feature superior electrical as well as thermal characteristics compared to those on foreign substrates such as Silicon and Sapphire.

In this work, the author presented a comprehensive comparison of GaN HEMTs on the different substrates. Besides, a theoretical model that predicts with high accuracy the electrical and thermal properties of GaN-based HEMTs as a function of the material quality has been successfully implemented and validated.

The results presented in this book received the best young scientist award at the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) in 2016. Moreover, the author received his doctoral degree with distinction (summa cum laude) for the work presented in this book.