Catalogus : Details

Andreas Hürner

SiC-BIFET

Ein bipolarer SiC-Feldeffekttransistor für das Mittelspannungsnetz

ISBN:

978-3-8440-5456-9

Reeks:

Erlanger Berichte Mikroelektronik
Uitgever: Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel en Prof. Dr. rer. nat. L. Frey
Erlangen

Volume:

2017,1

Trefwoorden:

SiC; Leistungshalbleiter; Bipolar; JFET

Soort publicatie:

Dissertatie

Taal:

Duits

Pagina's:

202 pagina's

Gewicht:

279 g

Formaat:

21 x 14,8 cm

Bindung:

Softcover

Prijs:

48,80 € / 61,10 SFr

Verschijningsdatum:

September 2017

Kopen:

DOI:

10.2370/9783844054569 (Online-Publicatie-Document)

Download:

Beschikbare online documenten voor deze titel:

U heeft Adobe Reader, nodig, om deze bestanden te kunnen bekijken. Hier vindt u ondersteuning en informatie, bij het downloaden van PDF-bestanden.

Let u er a.u.b. op dat de online-bestanden niet drukbaar zijn.


	Document		Document
	Soort bestand		PDF
	Kosten		36,60 EUR
	Acties		Tonen en kopen van het bestand - 4,6 MB (4780592 Byte)
	Acties		Kopen en downloaden van het bestand - 4,6 MB (4780592 Byte)


	Document		Inhoudsopgave
	Soort bestand		PDF
	Kosten		gratis
	Acties		Het bestand tonen - 76 kB (78120 Byte)
	Acties		downloaden van het bestand - 76 kB (78120 Byte)

Gebruikersinstellingen voor geregistreerde online-bezoekers

Hier kunt u uw adresgegevens aanpassen en uw documenten inzien.

Gebruiker:	niet aangemeld
Acties:	aanmelden/registreren Paswoord vergeten?

Aanbevelen:

Wilt u dit boek aanbevelen?

Recensie-exemplaar

Bestelling van een recensie-exemplaar.

Verlinking

Wilt u een link hebben van uw publicatie met onze online catalogus? Klik hier.

Samenvatting

Diese Arbeit befasst sich schwerpunktmäßig mit der Erforschung und Bewertung der Durchlasseigenschaften von 10kV-SiC-BIFETs mit einer nominellen Sperrfestigkeit von 10kV. Hierzu wurden 10kV-SiC-p-BIFETs mit p-dotiertem Kanal- und Driftgebiet und 10kV-SiC-n-BIFETs mit n-dotiertem Kanal- und Driftgebiet hergestellt und elektrisch charakterisiert. Es konnte dabei erstmals nachgewiesen werden, dass sich auch in einer Spannungsklasse von 10kV, mit diesem Bauelementkonzept eine für bipolare Leistungsschalter typische Modulation des Driftgebietes erreichen lässt.